أطلقت شركة Yuanjiwei الناشئة في شانغهاي أول خط إنتاج في العالم بحجم 8 بوصات لإنتاج رقائق ثنائية الأبعاد، حسبما كتب جنوب الصين مورنينج بوست مع رابط لرسالة WeChat الخاصة بالشركة.

بالمعنى الدقيق للكلمة، فإن ورشة العمل التي تحتوي على الطباعة الحجرية ومنشآت الحفر البلازما والكيميائي وغيرها من المعدات لإنتاج الإلكترونيات الدقيقة المتقدمة تعمل منذ شهر يناير. وبعد الانتهاء من تصحيح أخطاء الأجهزة واختبار العمليات الفنية، أقيم حفل الافتتاح الرسمي في 9 يوليو.

بفضل استخدام أشباه الموصلات ثنائية الأبعاد وكفاءتها تخطيط ثلاثي الأبعاد من حيث الأداء، بحلول عام 2029، ستتوافق المنتجات التي تنتجها الشركة مع رقائق 5 نانومتر الأكثر تقدمًا. في الوقت نفسه، تمكن المطورون من الاستغناء عن الطباعة الحجرية EUV (الأشعة فوق البنفسجية المتطرفة) – يُحظر توريد هذه المطبوعات الحجرية إلى الصين بموجب العقوبات – بسبب التعرض المتعدد في نطاق DUV (الطول الموجي 193 نانومتر).

وفي نهاية المطاف، سيتعين على العالم كله أن يتحول إلى أشباه الموصلات ثنائية الأبعاد، بطريقة أو بأخرى، بغض النظر عن العقوبات، لأن تصغير الرقائق المصنعة باستخدام التقنيات التقليدية يقترب بثبات من هدفه. الحد المادي.

وبحلول نهاية العام، تعتزم الشركة تطوير عملية تكنولوجية تعادل عقدة السيليكون 90 نانومتر على الخط الجديد من أجل الانتقال من الإنتاج “اليدوي” المخبري للأجهزة إلى التصميم الصناعي وفقًا للمعايير.

أما بالنسبة لتطبيق الرقائق الجديدة، فسيكون التركيز الرئيسي على ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM)، وليس فقط بسبب نقصها. يمكن لتيارات التسرب المنخفضة للغاية لأشباه الموصلات ثنائية الأبعاد أن تقلل بشكل كبير من استهلاك الطاقة أثناء تحديث الخلايا، مما يمهد الطريق لاعتمادها على نطاق واسع في الأجهزة الطرفية والأنظمة ذات الحوسبة المكثفة، وفي النهاية، من خلال التجميع الرأسي ثلاثي الأبعاد، لزيادة سعة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM). بالإضافة إلى ذلك، توفر أشباه الموصلات ثنائية الأبعاد مزايا فريدة في الدوائر التناظرية عالية التردد، وأجهزة الاتصالات المقاومة للإشعاع، والواجهات العصبية. وستعمل المنصة أيضًا على تطوير وإنتاج أدوات الاستشعار الإلكتروني البصري والحوسبة الكمومية.

وفي نفس اليوم، أعلنت Yuanjiwei عن بدء عقد التصنيع وإصدار الإصدار الأول من مكتبة تكنولوجيا PDK لعملية 500 نانومتر. يتم الوعد بإنتاج دوائر مناسبة بسعة تصل إلى 100 ألف ترانزستور بمستوى يتجاوز 99.99٪.

إقرأ المزيد